基本信息：
王国东，男，1979.09，博士，教授，77779193永利硕士生导师
主要研究方向： 光电传感器与探测器
教育及工作经历：
2016.04-今，77779193永利官网，77779193永利，教授/副教授
2015.03-2016.03，美国加州大学洛杉矶分校，电子工程系，访问学者
2009.01-2015.03，77779193永利官网，电气工程与自动化学院，副教授
2006.07-2008.12，中国科学院半导体研究所，电子科学与技术，博士后
2001.09-2006.06，吉林大学，微电子学与固体电子学，博士
1997.09-2001.06，吉林大学，光电子技术专业，本科
教学情况：
先后承担模拟电子技术、数字电子技术、PSpice电路仿真与分析、模拟集成电路等课程的讲授工作，教学效果优良。
科研项目/课题：
1.国家自然科学基金，基于In(Ga)As多层耦合表面量子点的丙酮气敏传感器研究，62173128, 57万，2022.01-2025.12,主持，在研
2.河南省高校科技创新团队支持计划，21IRTSTHN016，50万元，2021.01-2023.12，主持，已结题
3.国家自然科学基金，双色及多色量子阱红外焦平面阵列中耦合光栅的优化，61040016,10万，2011.01-2011.12，主持；已结题
4.国家自然科学基金，SP调制的底部光栅长波/甚长波双色QWIP研究，U1304608，30万，2014.01-2016.12，主持，已结题
5.河南省科技攻关计划项目（国际合作领域），基于InAs表面量子点的气敏传感器研究，182102410047,10万元，2018.01-2019.12，主持，已结题
6.77779193永利官网杰出青年基金，J2013-05.2013.01-2015.12，10万元，主持，已结题
7.77779193永利官网创新性科研团队，T2015-03,表面等离子体器件与物理，2015.01-2017.12，30万元，主持，已结题
8.国家自然科学基金，60706008，新型高亮度1.3um InAsGaAs量子点锥形激光器及其相应物理机制的探索，2008.01-2010.12，21万，第二参与，已结题
代表性论文：
1.Bin Lu, Haitao Wang, Jun Shen, Liangping Xia, Weiguo Zhang, Guodong Wang*, Xiao-Yu, and Deqiang Wang*, A high exinction ratio THz polarizer fabricated by double-bilayer wire grid structure, AIP Advance, Vol.6,2016,025215.
2.Guodong Wang, Baolai Liang*, Bor-Chau Juang, Aparna Das, Mukul C Debnath, Diana L. Huffaker, Yuriy I Mazur, Morgan E Ware and Gregory J Salamo, Comparative study of photoluminescence from In0.3Ga0.7As/GaAs surface and buried quantum dots, Nanotechnology, 2016, Vol.27, 465701. SCI2区，IF:3.573, Top期刊.
3.Mukul C. Debnath, Baolai Liang, Ramesh B. Laghumavarapu, Guodong Wang, Aparna Das, Bor-Chau Juang and Diana L. Huffaker, Optical properties of bimodally distributed InAs quantum dots grown on digital AlAs0.56Sb0.44 matrix for use in intermediate band solar cells, Journal of Applied Physics, 2017,121,214304.
4.Guodong Wang*, Junling Shen, Xiaolian Liu, Lu Ni and Saili Wang, Optimization of top coupling grating for very long wavelength QWIP based on surface plasmon, Photonic Sensors, Vol.7(3),2017:278-282.
5.Haitao Wang, Wanyi Xie, Yunjiao Wang, Jifeng Zhu, Mengwan Liu, Yunsheng Deng, Guodong Wang* and Deqiang Wang*, Fabrication of 3D nanovolcano-shaped nanopores with helium ion microscopy, Journal of Vacuum Science & Tecnology B, Nanotechnology and Microelectronics: materials, Processing, Measurement, and Phenomena, 36,011603(2018).
6.Guodong Wang*, Xiaolian Liu and Wei Wang*, Solution Processed Organic Transistor Nonvolatile Memory with a Floating-Gate of Carbon Nanotubes, IEEE Electron Device Letter, Vol.39(1),2018,111-114.
7.Guodong Wang*, Huiqiang Ji, Junling Shen, Yonghao Xu, Xiaolian Liu and Ziyi Fu, Strong influence of temperature and Vacuum on the photoluminescence of InGaAs buried and surface quantum dots, Photonic Sensors, 2018, Vol.8(3),213-219.
8.Guodong Wang*, Zengguang Liu, Junjun Wang, Yingli Yang, Xiaolian Liu, Xinran Zhang, Liwei Zhang Guohua Cao, Gas sensitivity of In0.3Ga0.7As surface QDs coupled to multilayer buried QDs, Photonic Sensors, 2020,Vol.10(3),283-290.
9.Xinran Zhang, Shuo Zhang, Guodong Wang*, Yunyu Wang, Meng Liang, Teng Zhan, Junxi Wang, Jinmin Li, Zhiqiang Liu*, Xiaoyan Yi*, Near-ultraviolet chip-based phosphor-converted solar-spectrum white light-emitting diode, Optical Engineering, 2020, Vol.59(1), 015104.
10.Shuozhang, Xinranzhang, Fang Ren, Yue Yin, Tao Feng, Wurui Song, Guodong Wang*, Meng Liang, Jianlong Xu, JIanwei Wang, Junxi Wang, Jinmin Li, Xiaoyan Yi*, Zhiqiang Liu*, High responsivity GaN nanowire UVA photodetector synthesized by hydride vapor phase epitaxy, Journal of Applied Physics, 2020, Vol.128, 155705.
11.Yang Yingli, Liu Zengguang, Wang Guodong*, Wang Ying, Yuan Qing, Fu Guangsheng, Photoluminescence study of the In0.3Ga0.7As surface quantum dots coupling structure, Optoelectronics Letters, 2021, Vol.15(5),0302-0307.
授权专利：
1.王国东，张利伟，成凌飞，向阳等，微纳信息器件与系统，焦作市科技进步特等奖，2017.
2.王国东，张利伟，成凌飞，向阳等，光栅器件与物理，河南省教育厅科技成果二等奖，2017.
3.王国东，张利伟，刘小莲，朱红伟，孙俊岭，杨莹丽，一种小尺寸像元量子阱红外焦平面光敏元芯片，发明专利授权：ZL201510099725.5,2018.
4.王国东，王允建，李端，谢贝贝，杨莹丽，王素玲，一种底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法， 授权专利：ZL201110380 428.X,2013.
5.王国东，余发山，王允建，谢贝贝，艾永乐，一种表面温度均匀的电磁感应加热圆辊，发明专利授权：ZL201110296064.7,2013.
